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面陣短波紅外相機(jī)可以直接檢測(cè)缺陷及雜質(zhì)
點(diǎn)擊次數(shù)：1333 更新時(shí)間：2022-11-08
面陣短波紅外相機(jī)可以用來(lái)檢測(cè)純半導(dǎo)體材料的質(zhì)量（通常是硅錠的生長(zhǎng)）。此外，切割成晶片的硅錠和晶片成品，也可以用類似的方法檢測(cè)缺陷或裂紋。然后將晶片加工成光電子元器件或其他半導(dǎo)體器件。在切割晶圓成為單芯片的加工過(guò)程中，對(duì)于鋸片和激光校準(zhǔn)來(lái)說(shuō)，它依舊是目前應(yīng)用的主流方案。
紅外成像產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、產(chǎn)品線齊全：譜段包括可見(jiàn)光、近紅外、短波、、長(zhǎng)波;同時(shí)具有線陣和面陣相機(jī);
2、多種制冷方式：熱電溫差制冷，空氣壓縮制冷，水制冷，sterling制冷，深度液氮制冷;
3、高速紅外相機(jī)，最高可達(dá)1700fps，最短曝光時(shí)間80ns;
4、市面上體積最小的、極緊湊型短波紅外相機(jī);
5、寬溫設(shè)計(jì)：可在-40℃~+70℃環(huán)境下使用;
6、具有ROI提高幀速功能;
7、具有ITR和IWR兩種數(shù)據(jù)讀出方式;
目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)中的晶體硅硅錠或硅磚檢測(cè)。使用一臺(tái)紅外相機(jī)，配合發(fā)射波長(zhǎng)在1150nm波段的光源，很輕易的就可以進(jìn)行硅錠或硅磚的內(nèi)部雜志和結(jié)構(gòu)的檢測(cè)。這是因?yàn)檫@種半導(dǎo)體材料不吸收能量低、相對(duì)波長(zhǎng)更長(zhǎng)的短波紅外光子，而可見(jiàn)光光子則因具有更高的能量和相對(duì)更短的波長(zhǎng)被Si材料吸收，無(wú)法透過(guò)。這使得使用短波紅外相成為了半導(dǎo)體檢測(cè)的優(yōu)良檢測(cè)工具，可以直接檢測(cè)缺陷、雜質(zhì)、孔洞或夾雜。
當(dāng)硅錠進(jìn)一步加工成為晶片時(shí)，硅錠中的雜質(zhì)會(huì)對(duì)生產(chǎn)設(shè)備造成損害。通過(guò)短波紅外相機(jī)的檢測(cè)，則可以有效避免類似的問(wèn)題，從而確保更高的生產(chǎn)效率。使用短波紅外相機(jī)成像的方式，來(lái)檢測(cè)半導(dǎo)體晶片和集成電路芯片的缺陷，將會(huì)起到事半功倍的效果。Si材料是目前zui常用的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵（GaAs）探測(cè)器又能夠探測(cè)到穿過(guò)Si材料的短波紅外波段，因此短波紅外相機(jī)為半導(dǎo)體檢測(cè)提供了一種無(wú)損的檢測(cè)方式，大大地提高了檢測(cè)效率，改進(jìn)了生產(chǎn)過(guò)程。
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